©Copyright AmuGruppen YRKE AB/Peter Kan 1999-09-02
MINNESTYPER
Det finns flera olika slags minnestyper, var och en med sina egna
speciella egenskaper. Vi skall titta lite innanför ”skalet” och se vad för
olika minnestyper det finns och vad de används till.
RAM
RAM (Random Access Memory) är ett läs och skrivminne. Man kan
läsa och skriva hur många gånger som helst till detta minne. RAM är
ett s.k. voliantile memory, vilket innebär att minnet behöver spänning
för att komma ihåg den lagrade informationen.
DRAM
DRAM (Dynamic Random Access Memory) är en variant
av RAM som är uppbyggd av kondensatorer och är det
minne som vi i dagligt tal kallar arbetsminne. I princip krävs
det en kondensator per bit för att skapa en RAM-modul. De
är relativt billiga att tillverka, men kräver kontinuerlig
återuppladdning av kondensatorn. Detta kallas för refresh
(var 4:e till 100:e ms beroende på konstruktion).
SRAM
SRAM (Static Random Access Memory) är minnen av
MOS-typ (Metal / Oxide Semiconductor) och är således
mycket känsliga för ESD. Minnet är uppbyggt av ”vippor”
för att fungera och kräver således ingen refresh. Dessa
minnen arbetar mycket snabbt men eftersom det krävs sex
transistorer per bit så krävs en stor mängd energi vilket gör
dem mycket varma. Kostnaden för en SRAM-modul är
mycket stor, därför används de främst till mindre men
snabba arbeten, såsom cache.
c07b5d6c3754e4eaf6a53920bbc0d8da
©Copyright AmuGruppen YRKE AB/Peter Kan 1999-09-02
SDRAM
SDRAM (Syncronius Dynamic Random Access Memory)
är en variant av DRAM som arbetar med synkront med
processorn, cachen och bussen (systemklockan).
CMOS RAM
CMOS RAM är en RAM-krets som har ett eget batteri.
Batteriets uppgift är att se till att RAM-kretsen är
spänningssatt då ingen läsning eller skrivning utförs (När
strömmen är frånslagen).
EDO
EDO (Extended Data Output),
kan läsa nästa CAS-adress
innan informationen behöver
bearbetas.
BEDO
BEDO (Burst Extended
Output), som EDO men läser en
latch i taget (d.v.s fyra CAS-
adresser).
FPM
FPM (Fast Page Mode) innebär att man inte behöver läsa in
en ny RAS adress utan att minnet försöker att hitta
information på nästkommande CAS adress (Page hit).
Skulle ingen information finnas på CAS adressen så läses en
ny RAS adress in (Page miss).
c07b5d6c3754e4eaf6a53920bbc0d8da
©Copyright AmuGruppen YRKE AB/Peter Kan 1999-09-02
ROM
ROM (Read Only Memory) är i princip enbart ett läsminne. Dock
förekommer olika varianter som gör att man även kan radera och
skriva till dessa minnen.
PROM
PROM (Programmable Read Only Memory) är ett läsminne
som man kan programmera i elektriskt speciella ”brännare”.
EPROM
EPROM (Electrically Programmable Read Only Memory),
elektriskt programmerbar PROM. Kretsen är försedd med
ett litet fönster som kan belysas med UV-ljus om man vill
radera dess innehåll.
EEPROM
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only
Memory), är en variant av EPROM som raderas med
elektrisk spänning istället för UV-ljus.
Flash ROM
Flash ROM är det kommersiella namnet
på en variant av EEPROM och
E
2
PROM. Det går snabbare att skriva
och radera till kretsen och man behöver
inte radera hela innehållet i kretsen.
E
2
PROM
E
2
PROM, är en variant av EEPROM. Den största skillnaden
är att skriv och raderhastigheten är högre än EEPROM.
Dock är läshastigheten något lägre.